量子产业

铟在量子应用中的价值

铟薄膜广泛应用于量子与先进半导体领域，包括：

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  量子计算器件
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  红外焦平面阵列
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  III-V 与 II-VI 半导体的低电阻欧姆接触
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  尖端半导体技术中的电子元件制造

铟具备延展性、低熔点（156.6 °C）及良好的导热性，特别适合量子系统所需的微电子与低温环境。同时，其与复杂晶体结构的高度兼容性，使其成为稳定、可靠电接触的理想材料。

PVD：高品质铟镀膜，成就精密器件

相较于传统电镀方法，PVD 具备显著优势：

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  与基底结合力更强
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  薄膜结构均匀致密
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  对环境条件不敏感
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  可精确控制膜厚
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  兼容更广泛的材料体系

这些优势对于追求精度与一致性的量子器件制造至关重要。

低温沉积：提升性能与稳定性

Intlvac 采用低温沉积工艺，确保铟薄膜具备：

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  接触点更高的剪切强度
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  铟凸点与晶圆表面更强的粘附性
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  薄膜生长过程中抑制原子迁移
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  增强的柱状晶体结构，提升机械与电学稳定性

该低温方法在量子计算常见的低温环境下，保障了器件的可靠性与完整性。

专为 Lift-Off 与凸点阵列优化

我们采用负性光刻胶的 Lift-Off 工艺，优势包括：

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  高选择性处理
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  多层沉积图形化更简便
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  降低图形畸变风险

该方法非常适合制造微型凸点阵列等复杂结构。

Icarus 铟镀膜系统：高精度表现

我们的 Icarus 平台为量子产业的高端应用量身打造，特点包括：

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  无飞溅沉积，速率可达 70 Å/s（200mm 晶圆）
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  细小晶粒且具纹理化的薄膜形貌
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  薄膜均匀性高于 8 英寸晶圆 <5%
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  由于准直通量与最小化侧壁镀膜，实现高效 Lift-Off
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  支持 5 微米特征尺寸与 10 微米像素间距
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  在方形与圆形阵列中，具备出色的铟填充与凸点定义

助力全球量子科技发展

Intlvac 致力于推动量子技术的全球化应用与落地，提供：

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  精准设计的薄膜镀膜解决方案
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  可扩展的科研与量产支持
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  为量子硬件制造商量身定制的专属工艺